掃描電鏡（SEM）中的能譜分析（EDS）中出現(xiàn)假峰（artifact peaks）或偽峰（spurious peaks），可能由以下幾類原因引起：

1. 高能激發(fā)引起的伴隨峰（Sum Peaks）

當(dāng)兩個或多個 X 射線幾乎同時被探測器接收時，其能量會“疊加”成一個新的峰值。

例如：兩個 Fe 的 Kα 射線疊加，可能產(chǎn)生一個新峰，位置在其能量的兩倍處。

常在強信號樣品或高束流下出現(xiàn)。

2. 逃逸峰（Escape Peaks）

探測器中的 Si 原子被入射的高能 X 射線激發(fā)，導(dǎo)致自身發(fā)出 Si Kα（約1.74 keV）X 射線逃逸出去。

結(jié)果：實際入射能量減去 Si 的1.74 keV，出現(xiàn)一個“偏低”的偽峰。

常見于高能峰附近，如 Cu 或 Mo 出現(xiàn)逃逸峰。

3. 熒光激發(fā)的偽峰

當(dāng)樣品發(fā)出的 X 射線激發(fā)到腔體內(nèi)其它材料（如樣品臺、探測器窗口、針頭）時，這些材料可能也會發(fā)出 X 射線信號。

比如：樣品臺為銅，可能出現(xiàn) Cu 的信號峰。

4. 后散射電子或次級電子干擾

如果樣品表面導(dǎo)電性差或電荷積累，可能導(dǎo)致電子散射異常，引起譜圖中奇怪的峰值或基線抖動。

通常配合導(dǎo)電涂層或降低加速電壓可減少這類干擾。

5. 軟件識別或背景扣除算法誤判

部分自動識別軟件在峰形分析中可能將背景擾動誤識為元素峰。

特別是信噪比較低或譜圖質(zhì)量較差時。

6. 污染或殘留物引起的誤峰

例如：樣品中殘留 C、O、Na、Cl 等元素，可能引入譜圖中并非目標(biāo)的雜峰。

通常出現(xiàn)在樣品未經(jīng)清洗或準(zhǔn)備過程不當(dāng)時。

如何判斷是否為假峰：

觀察峰的位置是否與實際元素特征 X 射線不符。

多次采集、換樣品或區(qū)域比對譜圖是否一致。

檢查是否為設(shè)備內(nèi)部常見偽峰（如 Si、Cu、Al 等）。

使用標(biāo)準(zhǔn)樣或參考譜對比。